Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3115UDMQ-13

DMN3115UDMQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.2 A
Pulsed drain current
12.8 A
Рассеиваемая мощность
0.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3115UDMQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.2 A
Pulsed drain current12.8 A
Рассеиваемая мощность0.9 W
КорпусSOT26
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.