Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN30H4D1S-7

DMN30H4D1S-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
6 A
Power dissipation
1.69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN30H4D1S-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation1.69 W
КорпусSOT223
On-state resistance0.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.