DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN30H4D0LFDE-7

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300 V
Drain current: 0.44 A
Power dissipation: 0.63 W
Корпус: U-DFN2020-6

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMN30H4D0LFDE-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	300 V
Drain current	0.44 A
Power dissipation	0.63 W
Корпус	U-DFN2020-6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	6 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.44A; 0.63W; U-DFN2020-6

Документация

Документ производителя