Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
0.2A
Pulsed drain current
2A
Power dissipation
0.47W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN30H4D0L-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current0.2A
Pulsed drain current2A
Power dissipation0.47W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.6nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.