Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
0.16 A
Pulsed drain current
1 A
Power dissipation
2.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN30H14DLY-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current0.16 A
Pulsed drain current1 A
Power dissipation2.2 W
КорпусSOT89
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89

Документация

Документы пока не предоставлены.