Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4.3 A
Power dissipation
0.5 W
Корпус
SC59
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3070SSN-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current4.3 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSC59
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.3A; 0.5W; SC59; ESD

Документация

Документ производителя