Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3069L-7

DMN3069L-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Power dissipation
1.3W
Корпус
SOT23
On-state resistance
30mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3069L-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Power dissipation1.3W
КорпусSOT23
On-state resistance30mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.3nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.