DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN3067LW-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 2.1 A
- Pulsed drain current
- 10 A
- Power dissipation
- 0.5 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN3067LW-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 2.1 A |
| Pulsed drain current | 10 A |
| Power dissipation | 0.5 W |
| Корпус | SOT323 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 67 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.