Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3066LQ-13

DMN3066LQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.9 A
Pulsed drain current
21 A
Power dissipation
1.33 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3066LQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.9 A
Pulsed drain current21 A
Power dissipation1.33 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance98 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 21A; 1.33W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.