Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3061SWQ-13

DMN3061SWQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.7 A
Pulsed drain current
22 A
Рассеиваемая мощность
0.65 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3061SWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.7 A
Pulsed drain current22 A
Рассеиваемая мощность0.65 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 22A; 650mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.