Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3060LWQ-13

DMN3060LWQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.1 A
Pulsed drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
0.64 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3060LWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.1 A
Pulsed drain current18 A
Рассеиваемая мощность0.64 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 18A; 640mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.