DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN3060LCA3-7
X4-DSN1006-3Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 2.8 A
- Pulsed drain current
- 20 A
- Power dissipation
- 1.35 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN3060LCA3-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 2.8 A |
| Pulsed drain current | 20 A |
| Power dissipation | 1.35 W |
| Корпус | X4-DSN1006-3 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 0.16 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.118nC |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 20A; 1.35W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.