Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3053L-13

DMN3053L-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
35 A
Power dissipation
0.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3053L-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current35 A
Power dissipation0.8 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.2nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.