Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3032LFDBQ-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
25 A
Power dissipation
1.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3032LFDBQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current5 A
Pulsed drain current25 A
Power dissipation1.7 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6

Документация

Документы пока не предоставлены.