Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3032LFDBQ-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
5A
Pulsed drain current
25A
Power dissipation
1.7W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3032LFDBQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current5A
Pulsed drain current25A
Power dissipation1.7W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance42mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6

Документация

Документы пока не предоставлены.