Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3032LE-13

DMN3032LE-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4.1 A
Pulsed drain current
25 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3032LE-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current4.1 A
Pulsed drain current25 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance29 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.