Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6.75 A
Pulsed drain current
40 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3030LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6.75 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.75A; Idm: 40A; 2.5W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.