Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3029LFG-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
7.7 A
Pulsed drain current
70 A
Power dissipation
2.07 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3029LFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current7.7 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation2.07 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance26.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 2.07W

Документация

Документы пока не предоставлены.