Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3027LFG-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
7.7 A
Pulsed drain current
70 A
Рассеиваемая мощность
3 W

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяDMN3027LFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current7.7 A
Pulsed drain current70 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance26.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.