Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6.8 A
Pulsed drain current
35 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3026LVT-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6.8 A
Pulsed drain current35 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.5nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 35A; 1W; TSOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.