DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN3024LSD-13
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 5.8 A
- Power dissipation
- 1.3 W
- Корпус
- SO8
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 68 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%249,78 ₽
Сумма · с НДС 22%249,78 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 249,78 ₽ | |
| от 10 | 137,66 ₽ | |
| от 25 | 122,22 ₽ | |
| от 50 | 110,59 ₽ | |
| от 100 | 98,00 ₽ | |
| от 500 | 71,50 ₽ | |
| от 1000 | 67,88 ₽ | |
| от 2500 | 61,97 ₽ | |
| от 5000 | 57,39 ₽ | |
| от 7500 | 54,53 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN3024LSD-13 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 5.8 A |
| Power dissipation | 1.3 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 36 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 13 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.