DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN3023L-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 5.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.6 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 9 220 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%83,02 ₽
Сумма · с НДС 22%83,02 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 83,02 ₽ | |
| от 5 | 63,17 ₽ | |
| от 10 | 55,41 ₽ | |
| от 25 | 47,11 ₽ | |
| от 50 | 41,87 ₽ | |
| от 100 | 37,72 ₽ | |
| от 500 | 30,50 ₽ | |
| от 1000 | 28,34 ₽ | |
| от 3000 | 25,63 ₽ | |
| от 9000 | 23,28 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN3023L-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 5.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.6 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 28 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.