Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
9.5 A
Pulsed drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 218 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%183,20 ₽

Сумма · с НДС 22%183,20 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1183,20 ₽
от 10107,72 ₽
от 5080,06 ₽
от 10067,78 ₽
от 50053,13 ₽
от 100049,83 ₽
от 250045,62 ₽
от 500041,95 ₽
от 750039,75 ₽
от 1250036,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN3016LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current9.5 A
Pulsed drain current80 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 80A; 2W; SO8

Документация

Документ производителя