Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3016LDN-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
7.3A
Pulsed drain current
45A
Power dissipation
1.6W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3016LDN-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current7.3A
Pulsed drain current45A
Power dissipation1.6W
КорпусV-DFN3030-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance24mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25.1nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.3A; Idm: 45A; 1.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.