Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
9A
Pulsed drain current
80A
Power dissipation
1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3015LSD-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current9A
Pulsed drain current80A
Power dissipation1W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance18mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.