Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
10.5 A
Pulsed drain current
90 A
Рассеиваемая мощность
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3010LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current10.5 A
Pulsed drain current90 A
Рассеиваемая мощность2.4 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.