Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3010LFG-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3010LFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current11 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation2.4 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.