Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
100 A
Power dissipation
3.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 387 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%199,45 ₽

Сумма · с НДС 22%199,45 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1199,45 ₽
от 10113,59 ₽
от 25101,43 ₽
от 5092,70 ₽
от 10084,15 ₽
от 50064,20 ₽
от 250054,71 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN3009SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current16 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation3.4 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.