Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3009SFG-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3009SFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current13 A
Pulsed drain current80 A
Рассеиваемая мощность1.4 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.