Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3009LFVW-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
48 A
Pulsed drain current
90 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3009LFVW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current48 A
Pulsed drain current90 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.