Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3009LFVQ-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
70 A
Power dissipation
2 W
Корпус
PowerDI3333-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3009LFVQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current70 A
Power dissipation2 W
КорпусPowerDI3333-8
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 2W; PowerDI3333-8

Документация

Документы пока не предоставлены.