Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3008SFG-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
18.4 A
Pulsed drain current
150 A
Power dissipation
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3008SFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current18.4 A
Pulsed drain current150 A
Power dissipation1.3 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge86nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.4A; Idm: 150A; 1.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.