Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3008SCP10-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Power dissipation
2.7 W
Корпус
X4-DSN3015-10
On-state resistance
7.8 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3008SCP10-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Power dissipation2.7 W
КорпусX4-DSN3015-10
On-state resistance7.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.8nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7W; X4-DSN3015-10

Документация

Документы пока не предоставлены.