Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2991UFZ-7B

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.44 A
Pulsed drain current
1.5 A
Рассеиваемая мощность
0.53 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2991UFZ-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.44 A
Pulsed drain current1.5 A
Рассеиваемая мощность0.53 W
КорпусX2-DFN0606-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance2.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.35nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW

Документация

Документы пока не предоставлены.