Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2990UFZ-7B

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.17 A
Pulsed drain current
0.8 A
Рассеиваемая мощность
0.32 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2990UFZ-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.17 A
Pulsed drain current0.8 A
Рассеиваемая мощность0.32 W
КорпусX2-DFN0606-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance2.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 170mA; Idm: 0.8A; 320mW

Документация

Документы пока не предоставлены.