DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2710UTQ-7

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 870 mA
Power dissipation: 0.32 W
On-state resistance: 0.45 Ω

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMN2710UTQ-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	870 mA
Power dissipation	0.32 W
On-state resistance	0.45 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.6nC
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 870mA; 320mW

Документация

Документы пока не предоставлены.