Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2501UFB4-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
1.4A
Pulsed drain current
6A
Power dissipation
0.7W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN2501UFB4-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current1.4A
Pulsed drain current6A
Power dissipation0.7W
КорпусX2-DFN1006-3
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.7Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW

Документация

Документы пока не предоставлены.