Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN24H11DSQ-13

DMN24H11DSQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
240 V
Drain current
0.22 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
1.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN24H11DSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage240 V
Drain current0.22 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation1.2 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.7nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.