Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN24H11DS-7

DMN24H11DS-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
240 V
Drain current
0.22 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
1.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 528 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%163,76 ₽

Сумма · с НДС 22%163,76 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1163,76 ₽
от 5129,08 ₽
от 10110,20 ₽
от 2588,43 ₽
от 5075,14 ₽
от 10065,12 ₽
от 50049,51 ₽
от 100045,47 ₽
от 300040,84 ₽
от 2400032,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN24H11DS-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage240 V
Drain current0.22 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation1.2 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.7nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.