Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2451UFB4Q-7B

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1.3 A
Pulsed drain current
3 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2451UFB4Q-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1.3 A
Pulsed drain current3 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусX2-DFN1006-3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.4nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 3A; 1.1W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.