Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2450UFB4-7R

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.8 A
Pulsed drain current
3 A
Power dissipation
0.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2450UFB4-7R
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.8 A
Pulsed drain current3 A
Power dissipation0.9 W
КорпусX2-DFN1006-3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 900mW

Документация

Документы пока не предоставлены.