Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2310UW-7

DMN2310UW-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1.1 A
Pulsed drain current
4.4 A
Рассеиваемая мощность
0.55 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 825 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%46,08 ₽

Сумма · с НДС 22%46,08 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 146,08 ₽
от 1028,38 ₽
от 5022,01 ₽
от 10019,63 ₽
от 25016,70 ₽
от 50014,65 ₽
от 100012,72 ₽
от 30009,86 ₽
от 60008,18 ₽
от 90007,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN2310UW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1.1 A
Pulsed drain current4.4 A
Рассеиваемая мощность0.55 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.7nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323

Документация

Документ производителя