Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2310UT-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1.2 A
Power dissipation
490 mW
Корпус
SOT523
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN2310UT-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1.2 A
Power dissipation490 mW
КорпусSOT523
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.7nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; 490mW; SOT523

Документация

Документы пока не предоставлены.