Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.96 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Корпус
X1-DFN1006-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 269 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%75,11 ₽

Сумма · с НДС 22%75,11 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 175,11 ₽
от 1037,37 ₽
от 2534,59 ₽
от 5032,35 ₽
от 10030,37 ₽
от 50025,50 ₽
от 100023,28 ₽
от 500018,39 ₽
от 1000016,40 ₽
от 3000013,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN2300UFB4-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.96 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусX1-DFN1006-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD

Документация

Документ производителяДокумент производителя