Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2300UFB-7B

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.94 A
Pulsed drain current
8 A
Power dissipation
1.2 W

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяDMN2300UFB-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.94 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation1.2 W
КорпусX1-DFN1006-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.36 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.89nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 940mA; Idm: 8A; 1.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.