DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN2250UFB-7B
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20V
- Drain current
- 1.03A
- Pulsed drain current
- 6A
- Power dissipation
- 0.3W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN2250UFB-7B |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20V |
| Drain current | 1.03A |
| Pulsed drain current | 6A |
| Power dissipation | 0.3W |
| Корпус | X1-DFN1006-3 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 0.25Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 3.1nC |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.03A; Idm: 6A; 300mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.