DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN2100UDM-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 2.5 A
- Power dissipation
- 0.6 W
- Корпус
- SOT26
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN2100UDM-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 2.5 A |
| Power dissipation | 0.6 W |
| Корпус | SOT26 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 0.13 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.