Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2025UFDB-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.8 A
Pulsed drain current
35 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN2025UFDB-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.8 A
Pulsed drain current35 A
Power dissipation1.4 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance31 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.