DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN2023UCB4-7
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 24V
- Drain current
- 4.8A
- Pulsed drain current
- 20A
- Power dissipation
- 1.45W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN2023UCB4-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 24V |
| Drain current | 4.8A |
| Pulsed drain current | 20A |
| Power dissipation | 1.45W |
| Корпус | X1-WLB1818-4 |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 37nC |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.