Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
0.61 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN2020LSN-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation0.61 W
КорпусSC59
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.